HOT!SSD Samsung 9100 Pro 4TB M2 PCIe Gen 5.0 x 4 MZ-VAP4T0BW | SAMSUNG PCIe 5.0 x4 NVMe M.2 SSD 9100 PRO ［4TB /M.2］ MZ-VAP4T0B-IT | 内蔵型SSD | Khnbcn

商品説明

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【商品解説】
●画期的な PCIe 5.0 パフォーマンス
PCIe 5.0のパフォーマンスを最大限に引き出します。
9100 PROは、990 PROの 2 倍である最大14800/13400 MB/秒の超高速シーケンシャル読み出し/書き込み速度を実現します。
Gen4では到達できない Gen5だからこそ可能となる最大 2200K/2600K IOPS のランダム読み出し/書き込み速度を実現します。
*シーケンシャルおよびランダム書き込みパフォーマンスは、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作するIntelligent Turbo Writeテクノロジーを有効にして測定されました。
パフォーマンスは、SSDのファームウェア、システムのハードウェアと構成、その他の要因によって異なる場合があります。
詳細については、最寄りのサービスセンターにお問い合わせください。
*9100 PROのパフォーマンスを最大化するには、Intelまたは AMDの Webサイトでシステムが PCIe 5.0をサポートしているかどうかを確認してください。
●あらゆるタスクの並列処理がスムーズに
生産性の限界を超えたスピード。
爽快なランダム読み出し/書き込み速度により、無数の断片化されたデータを最大2200K/2600K IOPSで超高速並列処理できます。
大規模なゲーム、高パフォーマンスのタスク、さらには AIアプリケーションに対しても優れた出力と即時ロードを体験してください。
●AIで瞬時に作成
インテリジェンスがパフォーマンスを再定義します。
9100 PROの最大 2200K/2600K IOPSの爽快なランダム読み出し/書き込み速度がもたらす素早いロード、スムーズなゲームプレイ、シームレスなパフォーマンスでオンボード AI PCや AIコンテンツ生成など、仕事や遊びの限界に挑戦しましょう。
*パフォーマンスは、SSD のファームウェア、システムのハードウェアと構成、その他の要因によって異なる場合があります。
●スバ抜けた性能と容量
最新の PCIe 5.0インターフェイスを使用すると、ビデオ編集、3Dアート、さらには長時間のストリーミングセッションをスムーズに行うことができます。
いつでも、どこでも、どのデバイスでも最先端のパフォーマンスを体験し、最大4TBまでの拡張容量から必要なストレージを選択してください。
●驚異的な熱効率
途切れることのない最高のパフォーマンス。
高度な 5nmコントローラーの電力アーキテクチャにより、990 PROと比べて電力効率が最大49%向上します。
卓越した熱制御により、フローが中断されることを防ぎ、最も要求の厳しいプログラムでも PCIe 5.0の可能な最大電力で実行し続けます。
●Samsung Magicianソフトウェア
Samsung Magicianソフトウェアは、内蔵SSD、ポータブルSSD、メモリカード、USBフラッシュドライブなどの Samsung製メモリストレージ製品をサポートする為に設計されたユーティリティソフトウェアです。
最新バージョンの Magicianソフトウェアは、これまで別ソフトとして存在していたSamsung Data Migrationソフトウェア(データ移行ソフト)を統合し、ユーザーにとって包括的なソリューションに生まれ変わりました。
また、大切なデータを保護し、ドライブの状態を監視し、最新のファームウェアのアップデートを入手します。
* 詳細については、Samsung Magicianソフトウェアのウェブサイトをご覧ください。
●イノベーションを生み出す原動力
サムスンのNAND型フラッシュメモリは、何十年にもわたり私たちの暮らし方を変えた画期的な技術を支えてまいりました。
このNAND型フラッシュ技術は、当社のコンシューマSSDにも搭載され、次世代イノベーションの道を切り開いています。

【スペック】
●型式：MZ-VAP4T0B-IT（MZVAP4T0BIT）
本体サイズ(幅×高さ×奥行)mm：22.15×2.38×80.15mm
本体重量：9g
容量：4TB
最大記憶容量：4TB
付属品：インストールガイド＆保証情報［ソフトウェア］Samsung Magicianソフトウェア (日本語対応) ※ダウンロード対応
仕様1：［容量］4TB［インターフェース(転送速度・規格値)］PCIe Gen 5.0 x4、NVMe 2.0［フォームファクタ］M.2 (2280)［搭載デバイス］　NANDフラッシュ：Samsung V-NAND TLC　コントローラ：Samsung 自社製コントローラ　キャッシュメモリ：2GB LPDDR4X［パフォーマンス ※最大値］　シーケンシャル：読み出し 14800 MB/s　書き込み：13400 MB/s
仕様2：［ランダム(QD 256 Thread 32)］　読み出し：2200000 IOPS　書き込み：2600000 IOPS［消費電力］　動作時(平均)：読み出し 9.0W、書き込み 8.2W　待機時：6.5mW　L1.2モード時：5.7mW［使用環境］　温度範囲：動作時 0〜70°C 非動作時　-40〜85°C　湿度範囲：5〜95％(結露なきこと)
仕様3：［耐久性］　耐衝撃性：非動作時 1500G、0.5ms期間、3軸　耐振動性：非動作時 20〜2000Hz、20G　MTBF(平均故障間隔)：150万時間［各種機能］　TRIMサポート：○ ※OSが対応している場合　ガベージコレクション：○　S.M.A.R.T(自己診断機能)：○　セキュリティ：AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)、TCG/Opal V2.0、Encrypted Drive (IEEE1667)［TBW］2400 TB